Студенческая научная лаборатория кафедры гистологии ДГМА - Лабораториум
 home главная · контакты · форум · книги  
    

Микроскоп электронный просвечивающий с мини-линзами
ПЭМ 100-01

ДКПП 33.20.61   ОКП 44 3560
УКНД 37.020   Группа П43

Руководство по эксплуатации

1.720.126 РЭ
© ОАО "SELMI" (г. Сумы, Украина).

5 ТЕХНИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ МИКРОСКОПА, КОНТРОЛИРУЕМЫЕ ПРИ ВВОДЕ В ЭКСПЛУАТАЦИЮ

5.1 Проверка разрешающей способности по кристаллической решетке 0,34 nm.

5.1.1 Оборудование и материалы, применяемые при проверке: тест-объект «Угольная пленка с отверстиями»; тест-объект «Сажа графитизированная на микросетке»; фотопленка Kodak SO-163 или ей аналогичная размером 4 х 3¼" (80 х 100 mm); проявитель высококонтрастный метол-гидрохиновый Д-19; фиксаж кислый.

5.1.2 Проверка разрешающей способности по кристаллической решетке должна производиться в основном режиме работы при:
высоком напряжении от 95 kV до 100 kV;
токе эмиссии от 15 μА до 25 μA;
электронно-оптическом увеличении от 500 000х до 600 000х;
диафрагме второй конденсорной линзы 0,2 mm;
замороженных ловушках стояка и защиты от загрязнения.

5.1.3 Включить и отъюстировать микроскоп, установить режим, указанный в 7.1.2 и прогреть в течение не менее 1 h.

5.1.4 Установить тест-объект «Угольная пленка с отверстиями» и предварительно скорректировать астигматизм объективной линзы.

5.1.5 Установить тест-объект «Сажа графитизированная на микросетке», получить и сфокусировать электронно-оптическое изображение тест-объекта.

В режиме "Светлое поле" проверить и при необходимости выставить юстировку по ЕНТ Wobbler. Точное выставление производить при увеличении не менее 300 000х.

Перейти в режим дифракции в "Светлое поле" и на ступени длинны камеры 1000 mm ввести и отъюстировать аппертурную диафрагму объективной линзы таким образом, чтобы центральный рефлекс находился в центре диафрагмы.

Перейти в режим увеличения "Светлое поле", сфокусировать изображение тест-объекта и окончательно по подложке скорректировать астигматизм (увеличение не менее 300 000х).

Включить режим дифракции "Темное поле" и наклонить освещающий пучок таким образом, чтобы в аппертурную диафрагму объективной линзы проходили симметрично относительно ее центра нулевой рефлекс и дифрагированное кольцо.

Перейти в режим Image "Темное поле". Выбрать участок тест-объекта, на котором имеются изображения кристаллов, сформированные нулевым и дифрагированным рефлексами.

Сфокусировать и получить изображение межплоскостных расстояний 0,34 nm.

5.1.6 Сфотографировать сфокусированное изображение кристаллов с межплоскостным расстоянием 0,34 nm.

5.1.7 Фотопленки, экспонированные по 5.1.6, проявить, зафиксировать, просушить согласно типовому техпроцессу на обработку фотоматериалов.

5.1.8 Обработка полученных результатов

Полученные негативы просмотреть и отобрать фотопленки, на которых имеется изображение межплоскостных расстояний 0,34 nm кристаллов сажи графитизированной.

5.2 Проверка электронно-оптического увеличения

5.2.1 Оборудование и материалы, применяемые при проверке: тест-объект «Мера штриховая МШ-0,83-1К»; тест-объект «Мера штриховая МШ-100»; компаратор горизонтальный ИЗА-7; фотопленки технические размером 3¼ х 4" (80 х 100 mm); высококонтрастный метол-гидрохиноновый проявитель Д-19; фиксаж кислый.

5.2.2 Установить тест-объект «Мера штриховая МШ-100». Получить и сфотографировать изображение тест-объекта на выбранных ступенях Low Magnification при высоком напряжении 75 kV. Режим работы основной.

5.2.3 Установить тест-объект «Мера штриховая МШ-0,83-1К». Получить и сфотографировать изображение тест-объекта на выбранных ступенях High Magnification в диапазоне от 1 200х до 80 000х.

Общее количество ступеней Low Magnification и High Magnification, проверяемых фотографированием - не более 15.

5.2.4 Фотопластинки, экспонированные по 5.2.2, 5.2.3 проявить, зафиксировать и просушить согласно техническому процессу на обработку фотоматериалов.

Измерить изображения: периода сетки на негативе, полученном по 5.2.2; периода дифракционной решетки на негативах, полученных по 5.2.3.

По полученным результатам определить увеличение М, по формуле:

M = l/hi   (3)

где l - период изображения, измеренный на негативе в mm; hi - истинное значение периода, равное: для МШ-100 hi=0,l mm; для МШ-0,83-1К hi=0,85∙10-3 mm.

Результаты испытаний считаются положительными, если значения электронно-оптических увеличений соответствуют номинальным с погрешностью не более ±10%.

5.3 Проверка работы вакуумной системы

5.3.1 Проверку производить после окончательной сборки микроскопа, проверки на герметичность и откачки без напуска воздуха в колонну в течение не менее трех дней по 8 h.

5.3.2 Откачать колонну в автоматическом режиме откачки. Получить давление не выше 1,3∙10-5 hPa без жидкого азота в ловушке стояка и защите от загрязнения или не выше 6,64∙10-6 hPa при залитом азоте в ловушке стояка.

Далее — Транспортирование, хранение, утилизация.

Комментарии

Ваши сообщения, дополнения, отзывы, объявления.
Внимание спамерам: все ссылки публикуются через редирект (рефер) и не индексируются!
Ваш ip адрес записан: 54.198.2.110

Вадим
85.143.0.24
13-02-2015
какова стоимость?
 Прошу сообщить стоимость изделия "Просвечивающий электронный микроскоп ПЭМ-100-01"
С уважением, научно-технический отдел НИИ химии ННГУ им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
 
  для других приборов - пользуйтесь нашим форумом).
Оставьте Ваши контактные данные здесь:
 
 © 2008-2016, Laboratorium.dp.ua — документация на лабораторное оборудование. © Dr. Andy  
 
 

Авторство

Днепропетровская государственная медицинская академия, кафедра гистологии.
Адрес: 49005, Днепропетровск, ул. Севастопольская, 17 (морфологический корпус ДГМА).
info контактная информация, написать сообщение
Key words: laboratory equipment, microscopy histology, biology.   Ключевые слова: лаборатория, методики, техника, реактивы, описание приборов, инструкции, паспорт, медицина, биология, гистологические исследования, микроскопы.
в каталоге DMOZ! Rambler's Top100